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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5651-EB |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | 2SC5651-EB |
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Data Sheet P15244EJ1V0DS
4
2SC5651
VCE = 1 V
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
1 000
100
10
110
0.1
100
VCE = 2 V
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
1 000
100
10
110
0.1
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5651 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5651-T1 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5668-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC565400L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5654G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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