參數(shù)資料
型號： 2SC5629
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2SC5629
2SC5629
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Condition :
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
V = 1 V , I = 5 mA
Condition :
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Condition :
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
Condition :
100 to 2000 MHz (100 MHz step)
S11 Parameter vs. Frequency
S21 Parameter vs. Frequency
S12 Parameter vs. Frequency
S22 Parameter vs. Frequency
V = 1 V , I = 5 mA
V = 1 V , I = 5 mA
V = 1 V , I = 5 mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5646A-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 30MA 4V FT=10G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC565400L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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