參數(shù)資料
型號： 2SC5619
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 2SC5619
中文描述： 2SC5619
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 146K
代理商： 2SC5619
概要
2SC5619は、超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシャル
形トランジスタです。
高ｆTであり、また、コレクタ損失が大きく、ディスプレイモニター用
等として最適です。
特長
●ｆTが高い ｆT=4.5GHz標準。
●
Cobが小さい。Cob=1.0pF標準
●
超小形外形のため、セットの小型化、高密度実裝が可能。
用途
TV チューナー、通信機、攜帯電話等
形名表示 hFE
〈小信號トランジスタ〉
2SC5619
高周波増幅用
シリコン NPN エピタキシャル形
外形図
単位：ｍｍ
電気的特性
（Ta=25℃）
特性値
項目
記號
試験條件
最小
標準
最大
単位
コレクタ遮斷電流
I
CBO
V
CB
=10V, I
E
=0mA
-
-
0.5
μA
エミッタ遮斷電流
I
EBO
V
EB
=1V, I
C
=0mA
-
-
1.0
μA
直流電流増幅率
hFE
V
CE
=5V ,I
C
=20mA
50
-
250
-
利得帯域幅積
fT
V
CE
=5V, I
E
=-20mA
-
4.5
-
GHz
コレクタ出力容量
Cob
V
CB
=5V, I
E
=0mA,f=1MHz
-
1.0
-
pF
電力利得
|S
21
|
2
V
CB
=5V, I
C
=20mA,f=1GHz
7.5
9.0
-
dB
雑音指數(shù)
NF
V
CE
=5V, I
C
=5mA,f=1GHz
-
1.5
-
dB
JEITA：SC-59
JEDEC：TO-236 類似
電極接続
①：ベース
②：エミッタ
③：コレクタ
0
0
～
0
0
1
0
0.5
1.5
0.5
2.5
0
0
1
2
①
②
③
マ
ー
キ
ン
グ
図
GW
記號
V
CBO
V
EBO
V
CEO
項目
定格値
20
3
12
単位
V
V
V
コレクタベース間電圧
エミッタベース間電圧
コレクタエミッタ間電圧
I
C
コレクタ電流
50
mA
P
C
コレクタ損失（Ta=25℃）
150
mW
Tj
接合部溫度
+125
℃
Tstg
保存溫度
-125～
+125
℃
相關PDF資料
PDF描述
2SC5620 For Low Frequency Amplify Application Sillcon Npn Epitaxial Type
2SC5621 FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
2SC5622 Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
2SC5625 SILICON EPITAXIAL
2SC5626 2SC5626
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC562 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC562200VLA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SC562200VLK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC563200L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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