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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5618-T3EB-A |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 12/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | 2SC5618-T3EB-A |
Data Sheet PU10083EJ02V0DS
2
2SC5618
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
–
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 2 V, IC = 20 mA
70
–
130
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product (1)
fT
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
9.0
14.0
–
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
fT
VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
7.0
12.0
–
GHz
Insertion Power Gain (1)
S21e2 VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
8.5
10.0
–
dB
Insertion Power Gain (2)
S21e2 VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
6.0
9.0
–
dB
Noise Figure (1)
NF
VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.4
2.0
dB
Noise Figure (2)
NF
VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.5
2.0
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.4
0.8
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
hFE CLASSIFICATION
Rank
EB
FB
Marking
W1
W2
hFE Value
70 to 100
90 to 130
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PDF描述 |
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| 2SC5618-T3FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
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