- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄41504 > 2SC5614-T3FB UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5614-T3FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 12/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | 2SC5614-T3FB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁當(dāng)前第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
Data Sheet PU10080EJ02V0DS
2
2SC5614
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 10 V, IE = 0 mA
–
1 000
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
–
1 000
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 3 V, IC = 7 mA
80
–
145
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
3.0
4.5
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
7.0
10.0
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz,
ZS = Zopt
–1.4
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.7
1.5
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
hFE CLASSIFICATION
Rank
EB
FB
Marking
C1
C2
hFE Value
80 to 110
100 to 145
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5614-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-T3-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-T3FB-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-FB-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。