參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5575
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： High-Voltage Switching Transistor(高電壓開(kāi)關(guān)晶體管)
中文描述： 高壓開(kāi)關(guān)晶體管（高電壓開(kāi)關(guān)晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： 2SC5575
2SC5575
Transistors
High-voltage Switching Transisitor
(Power Supply) (120V, 7A)
2SC5575
!
Features
1) Low V
CE(sat).
(Typ. 0.17V at I
C
/ I
B
= 5 / 0.5A)
2) Fast switching. (tf : Typ. 0.18
μ
s at I
C
= 5A)
3) Wide SOA. (safe operating area)
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
250
120
12
7
15
2
25
150
55
～ +
150
Unit
V
V
V
A
A(t=100ms)
W
W(Tc=25
°
C)
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
2SC5575
TO-220FN
E
500
h
FE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CEX(SUS)
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Min.
125
Typ.
Max.
Unit
V
μ
A
μ
A
Conditions
I
C
EO
h
FE
f
T
Cob
ton
tstg
tf
100
20
150
10
10
0.6
200
0.5
2.5
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
mA
MHz
pF
I
CP
=8
A,I
B1
=
I
B2
=0.5A,I
C
=5A,L=200
μ
H clamped
V
CB
=
100V
V
EB
=12
V
I
C
/I
B
=5
A/0.5A
I
C
/I
B
=5
A/0.5A
V
CE
/I
C
=5
V/3A
V
CE
=
10V,I
E
=
0.5A
V
CB
=
10V,I
E
=
0A , f=1MHz
I
B1
=
I
B2
=0.5A
V
CC
50
V
I
C
=5
A,R
L
=10
1.2
V
CE
=
100V,Ta
=125
°
C
0.5
2
Collector cutoff current
Collector cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Collector cutoff current
Collector-emitter breakdown voltage
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