參數(shù)資料
型號： 2SC5570
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 28 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-21F2A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 726K
代理商： 2SC5570
2SC5570
2006-11-22
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 1700 V, IE = 0
―
1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
μA
EmitterBase Breakdown Voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
800
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 2 A
22
―
48
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 8 A
12.5
―
25
DC Current Gain
hFE (3)
VCE = 5 V, IC = 22 A
4.5
―
7.5
―
CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE (sat)
IC = 22 A, IB = 5.5 A
―
3
V
BaseEmitter Saturation Voltage
VBE (sat)
IC = 22 A, IB = 5.5 A
―
1.0
1.5
V
Transition Frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
―
2
―
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
470
―
pF
Storage Time
tstg (1)
―
2.6
3.0
Fall Time
tf (1)
ICP = 10 A, IB1 (end) = 1.4 A
fH = 64 kHz
―
0.2
0.3
μs
Storage Time
tstg (2)
―
1.4
1.6
Switching Time
Fall Time
tf (2)
ICP = 8 A, IB1 (end) = 1.2 A
fH = 130 kHz
―
0.10
0.15
μs
Marking
2SC5570
TOSHIBA
JAPAN
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
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PDF描述
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