參數(shù)資料
型號： 2SC5551E
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 300mA的一（c）|至243
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SC5551E
2SC5551
No.6328–2/5
Continued from preceding page.
r
m
a
P
l
b
m
y
S
s
n
o
n
o
C
s
g
n
R
y
t
U
n
m
p
5
9
5
1
9
x
a
m
t
u
d
o
P
c
n
C
h
w
a
a
p
r
n
a
T
d
a
n
a
C
e
B
-
G
p
O
e
R
fT
o
e
C
VE
C
VB
C
VB
C
IC
=
IC
=
I
V
V
0
1
0
1
=
5
=
=
C
A
z
z
m
H
H
0
M
M
5
1
1
=
z
H
F
p
F
p
V
V
G
e
t
s
v
b
C
=
=
V
0
e
c
n
a
a
p
a
e
g
a
V
a
V
n
o
S
o
S
r
m
e
s
a
B
E
-
e
C
-
e
C
VE
C
VE
B
)
)
s
s
I
A
I
A
m
m
0
0
5
5
B
B
A
A
m
m
5
5
=
=
5
3
2
e
g
n
0
0
20
IC -- VCE
IT01066
IT01068
IT01070
IT01067
IT01069
IT01071
500
μ
A
450
μ
A
400
μ
A
350
μ
A
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
40
60
80
100
4
12
8
16
20
1.0
10
hFE -- IC
2
3
5
Collector Current, IC– mA
710
2
3
5
7100
2
3
5
71000
2
3
5
7
100
2
3
5
7
1000
VCE=5V
VCE=5V
1.0
0.01
VCE(sat) -- IC
2
3
5
710
Collector Current, IC– A
2
3
5
7100
2
3
5
71000
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
1.0
S21e
2
-- IC
2
3
5
710
Collector Current, IC– mA
2
3
5
7100
2
3
5
71000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
f=200MH
f=500MHz
1.0
1.0
Cob, Cre -- VCB
2
Collector-to-Base Voltage, VCB-- V
3
5
7
2
3
5
7
100
2
3
5
7
10
Cob
Cre
f=1MHz
VCE=5V
1.0
fT -- IC
2
3
5
Collector Current, IC– mA
710
2
3
5 7100
2
3
5
71000
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
IC
/ IB=10
IB=0
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE– V
D
F
S
2
–
O
R
C
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5551F TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-243
2SC5554 Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
2SC5555 Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier
2SC5564 DC/DC Converter Applications
2SA2011 DC/DC Converter Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC555600L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5563(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SC5565-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 30V 5A 200 to 560 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 5A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5566-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5569-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*