參數(shù)資料
型號: 2SC5551
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PCP, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大小: 211K
代理商: 2SC5551
2SC5551
No.6328–2/5
Continued from preceding page.
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
it
i
d
n
o
C
s
g
n
it
a
R
ti
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
t
c
u
d
o
r
P
h
t
d
i
w
d
n
a
B
-
n
i
a
G
fT
V E
C
I
,
V
5
=
C
A
m
0
5
=
5
.
3z
H
G
e
c
n
a
ti
c
a
p
a
C
t
u
p
t
u
Ob
o
CV B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
0
1
=
9
.
20
.
4F
p
e
c
n
a
ti
c
a
p
a
C
r
e
f
s
n
a
r
T
e
s
r
e
v
e
Re
r
CV B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
0
1
=
5
.
1F
p
e
g
a
tl
o
V
n
o
it
a
r
u
t
a
S
r
e
t
ti
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV E
C
)
t
a
s
(IC
I
,
A
m
0
5
=
B
A
m
5
=5
1
.
03
.
0V
e
g
a
tl
o
V
n
o
it
a
r
u
t
a
S
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV E
B
)
t
a
s
(IC
I
,
A
m
0
5
=
B
A
m
5
=9
.
02
.
1V
0
20
IC -- VCE
IT01066
IT01068
IT01070
IT01067
IT01069
IT01071
500μA
450μA
400μA
350
μA
300μA
250μA
200
μA
150
μA
100μA
50μA
40
60
80
100
4
12
8
16
20
1.0
10
hFE -- IC
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
2
3
5
7
100
2
3
5
7
1000
VCE=5V
1.0
0.01
VCE(sat) -- IC
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
S21e
2 -- IC
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
f=200MHz
f=500MHz
1.0
Cob, Cre -- VCB
2
3
5
7
10
2
3
5
7
100
2
3
5
7
10
Cob
Cre
f=1MHz
VCE=5V
1.0
fT -- IC
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
IC / IB=10
IB=0
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
F
orw
ard
T
ransfer
Gain,
S21e
2
–d
B
Output
Capacitance,
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cob,
Cre
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Gain-Bandwidth
Product,
f T
GHz
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5590 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5606-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-A-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-T1FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-A-YFB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5551AE-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5551AF-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC555600L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5563(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SC5565-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 30V 5A 200 to 560 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 5A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0