參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5480
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
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代理商： 2SC5480
2SC5480
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to emitter voltage
V
CES
V
EBO
I
C
i
c(peak)
P
C
Tj
1500
V
Emitter to base voltage
5
V
Collector current
14
A
Collector peak current
28
A
Collector power dissipation
Note1
50
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Collector to emitter diode forward current
Note:
1. Value at Tc = 25
°
C
I
D
14
A
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
V
I
E
= 500mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
500
μ
A
V
CE
= 1500V, R
BE
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1A
V
CE
= 5 V, I
C
= 10A
I
C
= 10A, I
B
= 2.5A
DC current transfer ratio
5
—
25
DC current transfer ratio
4
—
7
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
5
V
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
1.5
V
I
C
= 10A, I
B
= 2.5A
Collector to emitter diode
forward voltage
V
ECF
—
—
2
V
I
F
= 14A
Fall time
t
f
—
0.2
0.4
μ
s
I
CP
= 7A, I
= 2.4A
f
H
= 31.5kHz
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