參數(shù)資料
型號： 2SC5450
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 40K
代理商： 2SC5450
2SC5450
No.5955–2/4
Switching Time Test Circuit
IB1
IB2
PW=20
s
D.C.
≤1%
INPUT
OUTPUT
50
VR
RB
RL=33.3
100
F
470
F
VBE=–2V
VCC=200V
+
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r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
n
i
a
G
t
n
e
r
u
C
D
h E
F 1V E
C
I
,
V
5
=
C
A
1
=
5
10
3
h E
F 2V E
C
I
,
V
5
=
C
A
7
=
47
e
m
i
T
e
g
a
r
o
t
St g
t
s
IC
I
,
A
6
=
1
B
I
,
A
0
.
1
=
2
B
A
5
.
2
–
=
0
.
3s
e
m
i
T
ll
a
Ftf
IC
I
,
A
6
=
1
B
I
,
A
0
.
1
=
2
B
A
5
.
2
–
=
2
.
0s
2
3
5
7
10
1.0
2
3
5
7
100
2
4
6
10
8
1
3
5
9
7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
35
7
1.0
23
5
7
10
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
0.1
0.01
2
3
5
7
10
0.1
35
7
1.0
23
5
7
10
2
02
4
6
8
10
13
5
7
9
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
hFE - I C
I C - VCE
I C - VBE
VCE(sat) - I C
IB= 0
2.0A
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
VCE=5V
T
a
=
120
°C
25
°C
-
40
°C
25°C
-40°C
Ta = 120°C
VCE=5V
120°C
25°C
Ta=-40
°C
IC/IB=5
1.8A
1.4A
1.6A
Collector
Current,
I C
–A
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–V
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2SC5454-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000
2SC5455-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5455-FB(T1) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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