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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5446 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 18 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-21F2A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 379K |
| 代理商： | 2SC5446 |
2SC5446
2004-07-07
1
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5446
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage
: VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage
: VCE (sat) = 3 V (Max.)
High Speed
: tf (2) = 0.1 s (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
CollectorBase Voltage
VCBO
1700
V
CollectorEmitter Voltage
VCEO
600
V
EmitterBase Voltage
VEBO
5
V
DC
IC
18
Collector Current
Pulse
ICP
36
A
Base Current
IB
9
A
Collector Power Dissipation
PC
200
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature Range
Tstg
55~150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 1700 V, IE = 0
―
1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
10
A
EmitterBase Breakdown Voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
600
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 2 A
10
―
40
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 9 A
6
―
13
DC Current Gain
hFE (3)
VCE = 5 V, IC = 14 A
4
―
8
―
CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE (sat)
IC = 14 A, IB = 3.5 A
―
3
V
BaseEmitter Saturation Voltage
VBE (sat)
IC = 14 A, IB = 3.5 A
―
1.0
1.5
V
Transition Frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
―
1.7
―
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
290
―
pF
Storage Time
tstg (1)
―
2.5
3.5
Fall Time
tf (1)
ICP = 9 A, IB1 (end) = 1.5 A
fH = 64 kHz
―
0.12
0.3
s
Storage Time
tstg (2)
―
2.1
2.3
Switching Time
Fall Time
tf (2)
ICP = 7 A, IB1 (end) = 1.25 A
fH = 100 kHz
―
0.10
0.15
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F2A
Weight: 9.75 g (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5446 | 18 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SC5454-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5454-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 2SC5455-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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