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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5417 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220FI, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | 2SC5417 |
2SC5417
Ordering number : EN5817
Inverter Lighting Applications
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
51598TS (KOTO) TA-1043 No.5817-1/4
Package Dimensions
unit: mm
2079B-TO220FI (LS)
[2SC5417]
SANYO : TO220FI (LS)
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
3.5
7.2
16.0
16.1
3.6
10.0
0.9
1.2
14.0
0.75
4.5
2.8
0.6
0.7
2.4
2.55
1
2
3
3.2
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
1200
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
600
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
9V
Collector Current
IC
3A
Collector Current (Pulse)
ICP
6A
Collector Dissipation
PC
2W
Tc=25°C
25
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=600V, IE=0
10
A
Collector Cutoff Current
ICES
VCE=1200V, RBE=0
1.0
mA
Collector Sustain Voltage
VCEO(sus)
IC=100mA, IB=0
600
V
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=9V, IC=0
1.0
mA
C-E Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1.5A, IB=0.3A
1.0
V
B-E Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=1.5A, IB=0.3A
1.5
V
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=5V, IC=0.1A
30
40
50
hFE(2)
VCE=5V, IC=1.0A
10
Storage Time
tstg
IC=1.5A, IB1=0.3A, IB2=–0.6A
2.5
s
Fall Time
tf
IC=1.5A, IB1=0.3A, IB2=–0.6A
0.15
s
Features
High breakdown voltage.
High reliability (Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
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PDF描述 |
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