型號(hào): | 2SC5333 |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | TO-220F, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 2/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 45K |
代理商: | 2SC5333 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1796 | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1567 | 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2081 | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC5335 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
2SC5335(TENTATIVE) | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type |
2SC5336 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
2SC5336(NE856M02) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
2SC5336-AZ | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |