參數(shù)資料
型號： 2SC5197
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-16C1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： 2SC5197
2SC5197
2004-07-07
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Collector current IC (A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(A
)
hFE – IC
D
C
c
urr
en
tg
ai
n
h
FE
Collector current IC (A)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
10
6
4
2
0
IB = 10 mA
20
Common emitter
Tc = 25°C
8
4
6
8
2
0
10
30
40
50
100
150
200
250
300
10
6
4
2
0
Common emitter
VCE = 5 V
8
0.8
1.2
1.6
0.4
0
2.0
Tc = 100°C
25°C
100
10
0.1
1
Common emitter
VCE = 5 V
0.01
1000
10
Tc = 100°C
Tc = 25°C
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
Common emitter
IC/IB = 10
100
Tc = 100°C
Tc = 25°C
0.05
2
30
1
10
30
100
300
0.5
3
5
10
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
DC operation
Tc = 25°C
1 ms*
10 ms*
100 ms*
0.3
0.1
3
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