參數資料
型號： 2SC5192
廠商： NEC Corp.
英文描述： Microwave Low Noise, Low Distortion Amplifier NPN Transistor(微波低噪聲、放大器NPN晶體管)
中文描述： 微波低噪聲，低失真放大器NPN晶體管（微波低噪聲，放大器npn型晶體管）
文件頁數： 3/10頁
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代理商： 2SC5192
2SC5192
3
0
50
Ambient Temperature T
A
(°C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Free Air
T
T
100
150
100
200
0
1
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
2
3
4
5
6
7
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
C
C
10
20
30
200 A
180 A
160 A
140 A
120 A
100 A
80 A
60 A
40 A
I
B
= 20 A
0
0.5
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 1 V
C
C
1
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
100
50
0.1
1
0.2
2
20
50
5
0.5
Collector Current I
C
(mA)
D
F
10
100
100
0
200
V
CE
= 1 V
DC CURENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
0
1
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
f = 2 GHz
G
T
10
20
50
2
5
100
1
10
20
50
2
5
100
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
2
|
2
V
CE
= 3 V
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
V
CE
= 1 V
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
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PDF描述
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