參數(shù)資料
型號: 2SC5120
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
中文描述: npn型硅外延(外延npn型晶體管)
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 34K
代理商: 2SC5120
2SC5120
3
8
6
4
2
0
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
50
100
150
200
1.4W
Ta
Tc
Case Temperature Tc (
°
C)
Maximum Collector Dissipation Curve
Collector to Emitter Voltage V (V)
CE
C
C
ic(peak)
I max
1.0
0.2
0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
10
20
50
100
200
500
PW=1m
1 shot pulse (Ta = 25
°
C)
DCOpeaion
(Tc=25
°
C
Area of Safe Operation
1 m
0.2
0.1
0
5
10
Collector to Emitter Voltage V (V)
C
C
I = 0
B
20 mA18 mA16 mA
2 mA
4 mA
14mA
Typical Output Characteristics
Tc = 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5132A Silicon NPN Triple Diffused Planar(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
2SC5138 Silicon NPN Epitaxial
2SC5139 Silicon NPN Epitaxial
2SC5140 VHF / UHF wide band amplifier
2SC5141 Silicon NPN Epitaxial
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5121 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type
2SC51210P 功能描述:TRANS NPN HF 400VCEO 70MA TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5122 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)
2SC5122(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN
2SC5122_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type