參數(shù)資料
型號： 2SC5015
廠商： NEC Corp.
英文描述： High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN晶體管（高頻低噪聲放大器npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： 2SC5015
2SC5015
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
200
100
0
50
100
150
T
A
- Ambinet Temperatute - C
P
T
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
40
0
0.5
1.0
V
BE
- Base to Emitter Voltafe - V
I
C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
50
30
20
10
V
CE
= 3 V
30
0
2
4
8
V
CE
- Collector to Emitter Voltage - V
I
C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
1
2
50
I
C
- Collector Current - mA
h
F
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
500
V
CE
= 3 V
2
20
50
I
C
- Collector Current - mA
f
T
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
20
10
6
I
B
= 200 A
180 A
160 A
140 A
120 A
100 A
80 A
60 A
40 A
20 A
V
= 3 V
f = 2 GHz
I
C
- Collector Current - mA
|
2
2
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
V
= 3 V
f = 2 GHz
200
100
50
20
10
5
10
20
14
12
10
8
6
4
2
01
5
10
2
20
50
12
01
5
10
10
8
6
4
2
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