參數(shù)資料
型號: 2SC496
英文描述: SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 30V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)|至126VAR
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 37K
代理商: 2SC496
2SC4902
.2
.4
.6
1
1.5 2
4
35
1
1.5
2
3
4
5
10
–10
–5
–4
–3
–2
–1.5
–1
–.8
–.6
–.4
–.2
0
.2
.4
.6
.8
10
Condition: V
= 5 V , Zo = 50
100 to 1000 (100 MHz step)
CE
(I
= 5 mA)
(I
= 10 mA)
C
S11 parameter vs. frequency
90°
60°
30°
–30°
–60°
–90°
–120°
–150°
180°
150°
120°
Scale: 0.04 / div.
Condition: V
= 5 V , Zo = 50
100 to 1000 (100 MHz step)
CE
(I
= 5 mA)
(I
= 10 mA)
C
S12 parameter vs. frequency
90°
60°
120°
30°
–30°
–60°
–90°
–120°
–150°
180°
150°
Scale: 4 / div.
Condition: V
= 5 V , Zo = 50
100 to 1000 (100 MHz step)
CE
(I
= 5 mA)
(I
= 10 mA)
C
S21 parameter vs. frequency
.2
.4 .6 .8 1
1.5 2
3 4 5
–10
–5
–4
–3
–2
–1.5
–1
–.8
–.6
–.4
–.2
0
.2
.4
.6
.8
1
1.5
2
3
4
5
10
Condition: V
= 5 V , Zo = 50
100 to 1000 (100 MHz step)
CE
(I
= 5 mA)
(I
= 10 mA)
C
S22 parameter vs. frequency
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC4960 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC4978-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7071 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7101 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2