參數(shù)資料
型號: 2SC4955(NE68533)
英文描述: Discrete
中文描述: 離散
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 37K
代理商: 2SC4955(NE68533)
2SC4902
20
16
12
8
4
220
Collector Current I
(mA)
50
Power
Gain
PG
(dB)
C
0
V
= 5V
f = 900 MHz
CE
15
10
Power gain vs. collector current
20
16
12
8
4
12
5
10
20
Collector Current
I
(mA)
50
S
Parameter
|S
|
(dB)
C
V
= 5V
f = 1 GHz
CE
0
21
S21 parameter vs. collector current
5
4
3
2
1
2
520
Collector Current I
(mA)
50
Noise
Figure
NF
(dB)
C
0
10
V
= 5V
f = 900MHz
CE
Noise figure vs. collector current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4957(NE68539E) SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC4959(NE68530) Discrete
2SC496 SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC4961
2SC4962 SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4957-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 4-Pin Mini-Mold
2SC4957-T1 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SC4957-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:180mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 10mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SC4959-T1 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SC4960 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR