參數(shù)資料
型號： 2SC4938
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關(guān)晶體管)
中文描述： 高壓開關(guān)晶體管（高電壓開關(guān)晶體管）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： 2SC4938
2SC4938
Transistors
High-voltage Switching Transistor
(400V, 5A)
2SC4938
!
Features
1) Low V
CE(sat)
. (Typ. 0.6V at I
C
/ I
B
=5/1A)
2) Fast switching. (tf :Max.1
μ
s at I
C
=4A)
3) Wide SOA. (safe operating area)
!
External dimensions
(Units : mm)
EIAJ : SC-83A
(3) Emitter
(2) Collector
(1) Base
ROHM : PSD3
1
0
0.5Min.
0
1
4
0
1
8.8
(
(
2
(
5
3.2
13.1
1
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
400
400
7
5
7
1.5
35
150
-55~+150
Single pulse, Pw=100ms.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Collector current
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
W(Tc=25C)
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SC4938
PSD3
B
TL
1000
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
Min.
400
400
7
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
10
10
1
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
Conditions
V
BE(sat)
h
FE
f
T
Cob
ton
tstg
tf
-
25
-
-
-
-
-
-
-
15
80
-
-
-
1.5
50
-
-
1
2.5
1
V
-
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
400V
V
EB
=
5V
I
C
/I
B
=
5A/1A
I
C
/I
B
=
5A/1A
V
CE
/I
C
=
5V/2A
V
CB
=
10V, I
E
=-
0.5A, f
=
5MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
I
C
=
4A , R
L
=
50
I
B1
=-
I
B2
=
0.4A
V
CC
200V
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Measured using pulse current.
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2SC4940-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4940-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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