參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4913
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 31K
代理商： 2SC4913
2SC4913
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
Tj
2000
V
Collector to emitter voltage
2000
V
Emitter to base voltage
6
V
Collector current
20
mA
Collector peak current
40
mA
Collector power dissipation
1.5
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector cutoff current
I
CES
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
—
—
500
μ
A
V
CE
= 2000 V, R
BE
= 0
V
CE
= 2000 V, R
BE
=
∞
V
EB
= 6 V, I
C
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 2 mA
Collector cutoff current
—
—
5
mA
Emitter cutoff current
—
—
500
μ
A
DC current transfer ratio
10
—
—
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
5.0
V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Maximum Collector Power Dissipation Curve
C
50
100
150
200
100
50
20
10
0.5
0.2
0.1
100
200
500
1000 2000
5000
Collector to Emitter Voltage V (V)
Area of Safe Operation
C
C
1 shot pulse
Ta = 25
°
C
ic(peak)
I max
D Oeao
(c=2
°
C
1 m
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PDF描述
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參數(shù)描述
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