參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4881
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 122K
代理商： 2SC4881
2SC4881
2004-07-26
3
hEF – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(
sa
t)
(
V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltag
e
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
Common emitter
IC/IB = 20
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
Tc = 100°C
25
0
80
IB = 10 mA
Common emitter
Tc = 25°C
60
70
40
20
30
2
4
6
8
10
2
4
6
8
10
90
100
50
Common emitter
VCE = 1 V
0
Tc = 100°C
2
4
6
8
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
25
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50
100
IC max (pulsed)*
10 ms*
1 ms*
100 s*
VCEO max
IC max (continuous)
DC operation
Tc = 25°C
50
0.03
30
100
300
500
1000
10
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
0.05
25
Common emitter
VCE = 1 V
Tc = 100°C
25
0.03
0.1
0.3
0.5
10
3
0.05
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
1
Common emitter
IC/IB = 20
25
Tc = 100°C
25
5
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