參數(shù)資料
型號: 2SC4829B
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 28K
代理商: 2SC4829B
2SC4829
2
Ordering Information
h
FE
2SC4829B
60 to 120
2SC4829C
100 to 200
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
100
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
100
V
Emitter to base voltage
V
EBO
3V
Collector current
I
C
0.2
A
Collector peak current
i
C (peak)
0.5
A
Collector power dissipation
P
C
0.9
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
100
V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
100
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter cutoff current
I
EBO
——
10
AV
EB = 3 V, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
1.0
AV
CB = 80 V, IE = 0
DC current
transfer ratio
2SC4829B
h
FE
60
120
V
CE = 10 V, IC = 10 mA
2SC4829C
h
FE
100
200
Base to emitter voltage
V
BE
1.0
V
CE = 10 V, IC = 10 mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
1.0
V
I
C = 100 mA, IB = 10 mA
Gain bandwidth product
f
T
800
1100
MHz
V
CE = 10 V, IE = 100 mA
Collector output capacitance
Cob
4.2
6.0
pF
V
CB = 30 V, IE = 0, f = 1 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC4833-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2