參數(shù)資料
型號： 2SC4824-D
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： FLP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SC4824-D
2SA1850/2SC4824
No.4132–2/4
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2SC4824
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0
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--8
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--16
--20
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5
100
7
5
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10
--10
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T
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°C
25
°C
--25
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°C
T
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2SC4824
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1.2
1.0
240
120
160
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23
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hFE -- IC
Ta=75°C
2SC4824
VCE=10V
ITR04880
25
°C
--25°C
23
5
7
2
3
5
7
23
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
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Current,
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mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
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DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
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PDF描述
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2SA1850F 0.2 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1850-E 0.2 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SC4833-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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