參數(shù)資料
型號： 2SC4784
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Bipolar Transistor(外延NPN晶體管)
中文描述： 硅雙極晶體管（外延npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： 2SC4784
2SC4784
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
15
V
Collector to emitter voltage
8
V
Emitter to base voltage
1.5
V
Collector current
20
mA
Collector power dissipation
100
mW
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
200
150
100
50
0
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Maximum Collector Power Dissipation Curve
C
50
100
150
200
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Cob
—
—
10
μA
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
V
CB
= 8 V, R
BE
= _
V
EB
= 1.5 V, I
C
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
V
CB
= 5 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
V
= 5 V, I
C
= 10 mA,
f = 900 MHz
—
—
1
mA
Emitter cutoff current
—
—
10
μA
DC current transfer ratio
50
120
250
—
Output capacitance
—
0.45
0.8
pF
Gain bandwidth product
f
T
PG
7.0
10.0
—
GHz
Power gain
12.0
15.0
—
dB
Noise figure
NF
—
1.2
2.5
dB
V
= 5 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
Note:
1. Marking for 2SC4784 is “YA–”.
Attention: This is electrostatic sensitve device.
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PDF描述
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