參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4726H
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: High-Frequency Amplifier Transistor(高頻放大器晶體管)
中文描述: 高頻放大器晶體管(高頻放大器晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商: 2SC4726H
2SC4726H / 2SC4726 / 2SC4083 /
Transistors
2SC3838K / 2SC4043S
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
Min.
20
11
3
Typ.
Max.
0.5
0.5
0.5
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
Conditions
h
FE
f
T
Cob
r
bb'
Cc
NF
1.4
3.2
0.8
4
3.5
1.5
12
GHz
pF
ps
dB
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
10V
V
EB
=
2V
I
C
/I
B
=
10mA/5mA
V
CE
/I
C
=
10V/5mA
V
CE
=
10V , I
E
=
10mA , f
=
500MHz
V
CB
=
10V , I
E
=
0A , f
=
1MHz
V
CB
=
10V , I
C
=
10mA , f
=
31.8MHz
V
CE
=
6V , I
C
=
2mA , f
=
500MHz , Rg
=
50
2SC4726H,2SC4726
2SC4083,2SC3838K
2SC4043S
82
180
56
180
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Collector-base time constant
Noise factor
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2SC4726TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 11V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4731S-AY 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4731T-AY 功能描述:兩極晶體管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2