參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4672-B-AB3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： 2SC4672-B-AB3-R
2SC4672
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R208-004.D
ABSOLUATE MAXIUM RATINGS (Ta = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
2
A
Collector Current (Pulse) (Note 1)
ICP
5
A
Collector Dissipation
PC
500
mW
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-40 ~ +150
°C
Note: 1.Single pulse, PW=10ms
2.Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC =50μA
60
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC =1mA
50
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE =50μA
6
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=60V
0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=5V
0.1
μA
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC /IB=1A/50mA (Note)
0.1
0.35
V
DC Current Transfer Ratio
hFE
VCE=2V, IC =0.5A (Note)
120
400
Transition Frequency
fT
VCE=2V, IE =-0.5A, f=100MHz
210
MHz
Output Capacitance
COB
VCB=10V, IE =0A,f=1MHz
25
pF
Note : Measured using pulse current.
■
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
A
B
RANGE
120 ~ 240
200 ~ 400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4672T100/P 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4672T100Q 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4672T100/Q 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4672 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4684(2-7J1A) 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4672T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4672T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4672T200Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC4682 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:3000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC4682,T6CSF(J 功能描述:TRANS NPN 3A 15V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 30mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:800 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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