參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4500S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SC4500S
2SC4500(L)/(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C (peak)
P
C
P
C
*
1
Tj
60
V
Collector to emitter voltage
60
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
1
A
Collector peak current
2
A
Collector power dissipation
0.8
W
8
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
60
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 0.1 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
h
FE
V
CE (sat)
—
—
10
μ
A
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA*
1
I
C
= 500 mA, I
B
= 0.5 mA*
1
DC current transfer ratio
2000
—
—
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.5
V
Base to emitter saturation
voltage
V
BE (sat)
—
—
2.0
V
I
C
= 500 mA, I
B
= 0.5 mA*
1
Turn on time
t
on
t
off
—
100
—
ns
V
CC
= 12 V, IC = 250 mA,
I
B1
= –I
B2
= 5 mA
Turn off time
Note:
—
600
—
ns
1. Pulse Test.
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PDF描述
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