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參數資料
| 型號： | 2SC4235 |
| 廠商： | Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd. |
| 英文描述： | Switching Power Transistor(3A NPN) |
| 中文描述： | 開關功率晶體管（第3A NPN）的 |
| 文件頁數： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 515K |
| 代理商： | 2SC4235 |
Forward Bias SOA
0.01
0.1
1
1
10
100
2SC4235
50
μ
s
Tc = 25
°
C
Single Pulse
150
μ
s
1ms
10ms
DC
6
800
Collector-Emitter Voltage V
CE
[V]
C
C
P
T
limit
I
S/B
limit
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SC4235-4112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4235-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4235-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4236 | 制造商:-- 功能描述:6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 制造商:Shindengen 功能描述:6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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