參數(shù)資料
型號： 2SC4232
廠商： Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd.
英文描述： Switching Power Transistor(2A NPN)
中文描述： 開關功率晶體管（第2A NPN）的
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 514K
代理商： 2SC4232
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : MTO-3P
●
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
TOR
Conditions
Ratings
-55
～1
50
1
50
1
200
800
7
2
4
1
2
70
0.8
Unit
℃
℃
V
V
V
A
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
Collector Current Peak
Base Current DC
A
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Mounting Torque
Tc = 25
℃
(Recommended torque : 0.5N
m)
W
N
m
●
Electrical Characteristics (Tc=25
℃
)
Item
Collector to Emitter Sustaining Voltage
Symbol
V
CEO
(sus)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
h
FEL
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
θ
jc
f
T
ton
ts
tf
Conditions
Ratings
Min 800
Max 0.
1
Max 0.
1
Max 0.
1
Min 8
Min 7
Max
1
.0
Max
1
.5
Max
1
.7
TYP 8
Max 0.5
Max 3.5
Max 0.3
Unit
V
mA
I
C
= 0.
1
A
At rated Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
At rated Voltage
mA
DC Current Gain
V
CE
= 5V, I
C
=
1
A
V
CE
= 5V, I
C
=
1
mA
I
C
=
1
A
I
B
= 0.2A
Junction to case
V
CE
=
1
0V, I
C
= 0.2A
I
C
=
1
A
I
B
1
= 0.2A, I
B2
= 0.4A
R
L
= 250
Ω
, V
BB2
= 4V
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage
Thermal Resistance
Transition Frequency
Turn on Time
Storage Time
Fall Time
℃
/W
MHz
μ
s
HFX Series
Switching Power Transistor
2A NPN
2SC4232
(T2W80HFX)
相關PDF資料
PDF描述
2SC4233 Switching Power Transistor(3A NPN)
2SC4234 Switching Power Transistor(3A NPN)
2SC4235 Switching Power Transistor(3A NPN)
2SC4236 Switching Power Transistor(6A NPN)
2SC4237 Switching Power Transistor(10A NPN)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4232-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4232-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4233 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SC4234 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Switching Power Transistor(3A NPN)
2SC4234-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*