參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4212
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type
中文描述： 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SC4212
Power Transistors
2SC4212
Silicon NPN triple diffusion planar type
1
For color TV horizontal deflection driver
I
Features
High collector to emitter voltage V
CEO
TO-126B package which requires no insulation plate for installa-
tion to the heat sink
I
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
TO-126B Package
Unit: mm
I
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
350
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
EBO
I
CP
300
V
Emitter to base voltage
7.5
V
Peak collector current
400
mA
Collector current
I
C
P
C
200
1.2
*1
5
*2
mA
Collector power dissipation
W
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
CB
= 200 V, I
E
= 0
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
2
μ
A
μ
A
Emitter cutoff current
2
Collector to base voltage
350
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
EBO
h
FE
I
C
= 5 mA, I
B
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
300
V
Emitter to base voltage
7.5
V
Forward current transfer ratio
40
250
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
f
T
C
ob
I
C
= 50 mA, I
B
= 5 mA
V
CB
= 30 V, I
E
=
10 mA, f = 200 MHz
V
CB
= 50 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
1
V
Transition frequency
50
MHz
Collector output capacitance
4.5
pF
Note)*1: Without heat sink
*2: With a 100
×
100
×
2 mm A1 heat sink
8.0
+0.5
1
±
3
±
3
±
1
±
1
±
3.2
±0.2
0.75
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
4.6
±0.2
0.5
±0.1
1.76
±0.1
1
2
3
φ
3.16
±0.1
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