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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4135 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管) |
| 中文描述： | 瑞展硅晶體管的高壓開關(guān)應(yīng)用（用于高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的npn型硅外延平面型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | 2SC4135 |
No.2511-2/4
2SA1593/2SC4135
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Electrical Characteristics
at Ta = 25C
Switching Time Test Circuit
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參數(shù)描述 |
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| 2SC4135S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 2SC4135S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4135S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4135T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
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