參數(shù)資料
型號: 2SC4132T100/NQ
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 117K
代理商: 2SC4132T100/NQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1727F5/NP 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1759F5 2000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4937TR/AB 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1308T101Q 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1767T100/PQ 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4132T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4132T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4132T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4133 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSPA 50V .1A .3W ECB
2SC4134 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORSC-64 (TP) 120V 1A 10W BCE