參數資料
型號： 2SC4081RP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-323, 3 PIN
文件頁數： 2/3頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： 2SC4081RP
Fig.1
Grounded emitter propagation
characteristics
0
0.1
0.2
0.5
2
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
5
10
Ta
=
100
°C
VCE
=6V
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
25
°C
55
°C
Fig.2
Grounded emitter output
characteristics (
Ι )
0
20
40
60
80
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
0.05mA
0.10mA
0.15mA
0.25mA
0.30mA
0.35mA
0.20mA
Ta=25
°C
IB=0A
0.40mA
0.50mA
0.45mA
0
2
8
10
4
8
12
16
4
6
20
IB=0A
Ta=25
°C
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
3
A
6
A
9
A
12
A
15
A
18
A
21
A
24
A
27
A
30
A
Fig.3
Grounded emitter output
characteristics (
ΙΙ )
0.2
20
10
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
50
100
200
500
VCE=5V
3V
1V
Ta=25
°C
Fig.4 DC current gain vs.
collector current (
Ι )
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
20
10
50
100
200
500
25
°C
55°C
Ta=100
°C
VCE=
5V
Fig.5 DC current gain vs.
collector current (
ΙΙ )
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig. 6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
0.2
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
IC/IB=50
20
10
Ta=25
°C
Fig.7 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current (
Ι )
0.2
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
IC/IB=10
Ta=100
°C
25
°C
55°C
Fig.8 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current (
ΙΙ)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
0.2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.5 1
2
5
10
20
50 100
IC/IB=50
Ta=100
°C
25
°C
55°C
Fig.9 Gain bandwidth product vs.
emitter current
50
0.5 1
2
5 10 20
50 100
100
200
500
Ta=25
°C
VCE
=6V
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
2SC4081
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 1
2003/11/28
相關PDF資料
PDF描述
2SC4081R 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4482U 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4482S 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB716A SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB716E SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數描述
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2SC4081RT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4081S 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-70
2SC4081T106 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4081T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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