參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3964
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-8H1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 144K
代理商： 2SC3964
2SC3964
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC3964
Switching Applications
Solenoid Drive Applications
Temperature Compensated for Audio Amplifier Output
Stage
High DC current gain: hFE = 500 (min) (IC = 400 mA)
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)
(IC = 300 mA)
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
40
V
Collector-emitter voltage
VCEO
40
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
Collector current
IC
2
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power dissipation
PC
1.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 40 V, IE = 0
―
10
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
1
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
40
―
V
DC current gain
hFE
VCE = 1 V, IC = 400 mA
500
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 300 mA, IB = 1 mA
―
0.3
0.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 300 mA, IB = 1 mA
―
1.1
V
Transition frequency
fT
VCE = 2 V, IC = 100 mA
―
220
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IB = 0, f = 1 MHz
―
20
―
pF
Turn-on time
ton
―
1.0
―
Storage time
tstg
―
3.0
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 1 mA, duty cycle ≤ 1%
―
1.2
―
s
Industrial Applications
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-8H1A
Weight: 0.82 g (typ.)
I B1
20 s
VCC = 30 V
Output
100
IB2
IB1
Input
I B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4071(DP6B) Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4210 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SC4210O SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4210-O 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SC4571-T1T75-A UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3964(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SC3970 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FA 800V 1.5A 25W BCE
2SC3971 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 800V 3A 30W BCE
2SC3974 功能描述:TRANS NPN 500VCEO 7A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3975 功能描述:TRANS NPN 500VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*