參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3935GP
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 50 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 280K
代理商： 2SC3935GP
Transistors
1
Publication date: May 2007
SJC00361AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SC3935G
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-frequency amplification/oscillation/mixing
■ Features
High transition frequency f
T
Small collector output capacitance (Common base, input open cir-
cuited) Cob and reverse transfer capacitance (Common base) Crb
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
10
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
3V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC
= 2 mA, I
B
= 010
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 03
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 10 V, IE = 01
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE
= 10 V, I
B
= 010
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
1
VCE = 2.4 V, IC = 7.2 mA
75
220
hFE2
VCE = 2.4 V, IC = 100 A75
hFE ratio
h
FE
*2
hFE2: VCE
= 2.4 V, I
C
= 100 A
0.75
1.60
hFE1: VCE = 2.4 V, IC = 7.2 mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 20 mA, IB = 4 mA
0.5
V
Transition frequency
fT
VCB
= 2.4 V, I
E
= 7.2 mA, f = 200 MHz
1.4
1.9
2.5
GHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 4 V, IE = 0, f = 1 MHz
0.9
1.1
pF
(Common base, input open circuited)
Reverse transfer capacitance
Crb
VCB = 4 V, IE = 0, f = 1 MHz
0.25
0.35
pF
(Common base)
Collector-base parameter
rbb' CC
VCB = 4 V, IE = 5 mA, f = 31.9 MHz
11.8
13.5
ps
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Rank classification
Rank
P
Q
hFE
75 to 130
110 to 220
*2:
h
FE = hFE2 / hFE1
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: 1S
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
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following
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about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3935G-Q 50 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4012TV3/MN 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4012TV6/MN 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4012TV4/M 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4012TV2/M 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3935GQL 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC39360CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC393700L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC3937G0L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39380QL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 100MA SMINI-3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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