參數(shù)資料
型號： 2SC3934
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency wide-band low-noise amplification)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SC3934
3
Transistor
2SC3934
S
12
, S
21
+90
+60
–60
+120
–120
+30
–30
+150
–150
±
180
0
–90
–30
5
15
20
10
–15
–10
–25
–20
1000MHz
800MHz
V
CE
=10V
I
=20mA
E: Earth
S
21
S
12
1000MHz
800MHz
500MHz
500MHz
相關PDF資料
PDF描述
2SC3935 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing)
2SC3936 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SC3937 Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification)
2SC3938 Silicon NPN epitaxial planer type(For high speed switching)
2SC3939 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency driver amplification)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC393400L 功能描述:TRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC3934G0L 功能描述:TRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39350PL 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC39350QL 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3935GQL 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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