參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3680
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： DIODE SWITCHING SINGLE 100V 150mA-Io 400mW 4ns-trr SOD-123 3K/REEL
中文描述： 7 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT100, TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SC3680
69
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
(High Voltage Switching Transistor)
2S C3680
Application :
Switching Regulator and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SC3680
900
800
7
7(
Pulse
14)
3.5
120(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
2SC3680
100
max
100
max
800
min
10to30
0.5
max
1.2
max
6
typ
105
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=800V
V
EB
=7V
I
C
=10mA
V
CE
=4V, I
C
=3A
I
C
=3A, I
B
=0.6A
I
C
=3A, I
B
=0.6A
V
CE
=12V, I
E
=–2A
V
CB
=10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
t
on
t
stg
t
f
–I
C
Characteristics
(Typical)
θ
j-a
–t
Characteristics
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat),V
BE
(sat)–I
C
Temperature Characteristics
(Typical)
C
C
(
B
B
(
Pc–Ta Derating
Reverse Bias Safe Operating Area
Safe Operating Area
(Single Pulse)
0
0
4
2
6
7
2
1
3
4
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
700mA
500mA
300mA
200mA
I
B
=100mA
1A
0.02
0.1
0.05
1
5
0.5
7
0
1
(I
C
/I
B
=5)
Collector Current I
C
(A)
V
BE
(sat)
125C (Case Temp)
25C (Case Temp)
–55C (Case Temp)
25C
–55C
V
CE
(sat)
1
2
5
C
C
a
s
e
e
m
p
)
0.1
1
0.5
7
5
0.2
0.5
5
10
1
S
t
o
t
s
t
f
(
μ
s
Collector Current I
C
(A)
t
stg
t
on
t
f
V
CC
250V
I
C
:I
B1
:I
B2
=2:0.3:–1Const.
0.1
1
2
0.5
1
10
100
1000
Time t(ms)
T
θ
j
(
100
500
50
1000
1
0.5
0.01
0.1
0.05
10
20
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Without Heatsink
Natural Cooling
L=3mH
I
B2
=–1.0A
Duty:less than 1%
10
50
5
2
100
500
1000
0.05
0.01
1
0.5
0.1
10
20
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Without Heatsink
Natural Cooling
100
μ
s
10ms
1ms
0
7
2
4
6
0
1.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=4V)
1(sTm
2 se
–(T
0.02
0.1
0.05
1
7
5
0.5
5
10
50
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=4V)
125C
25C
–55C
120
100
50
3.5
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
250
R
L
(
)
83
I
C
(A)
3
V
(V)
–5
I
B2
(A)
–1.5
t
on
(
μ
s)
1
max
t
stg
(
μ
s)
5
max
t
f
(
μ
s)
1
max
I
(A)
0.45
V
(V)
10
External Dimensions
MT-100(TO3P)
15.6
±0.4
9.6
1
±
4
2
5
±
1
3.2
±0.1
2
3
1.05
+0.2
-0.1
2
4
B
E
5.45
±0.1
5.45
±0.1
C
4.8
±0.2
0.65
+0.2
-0.1
1.4
2.0
±0.1
a
b
Weight : Approx 6.0g
a. Type No.
b. Lot No.
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PDF描述
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2SC3686 Very High-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output
2SC3731 MINIATURE PC BOARD RELAY
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2SC3731L TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-221VAR
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參數(shù)描述
2SC3681 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3PB 1500V 6A 120W BCE
2SC3685 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO-3PB 1500V 6A 120W BCE
2SC3689-TB-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT23
2SC37 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3940V .2A .2W
2SC370400L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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