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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3666 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | 2-7D101A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SC3666 |
2SC3666
2004-07-07
2
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
at
u
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
on
P
C
(W
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
7
6
1200
0
800
600
400
200
1
2
3
4
5
6
Common emitter
Ta = 25°C
4
8
0
IB = 1 mA
9
1000
5
2
3
300
Common emitter
IC/IB = 10
1
0.01
1
0.3
0.1
0.05
0.03
3
10
1000
Ta = 100°C
25
100
0.5
30
20
0
40
60
100
120
1.4
0.4
0
0.2
0.8
1.0
80
140
160
1.2
0.6
1000
10
1
500
300
100
30
10
30
100
300
1000
Ta = 100°C
25
Common emitter
VCE = 2 V
3
50
10
1000
1
0
500
5
3
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Ta = 100°C
25
Common emitter
VCE = 2 V
100
50
30
300
5
0.003
0.1
0.005
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
1
3
10
30
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
Curves must be derated linearly with
increase in temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
1 ms*
10 ms*
100 ms*
DC operation
Ta = 25°C
0.3
100
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