參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3649T
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 305K
代理商： 2SC3649T
2SA1419 / 2SC3649
No.2007-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)120V, IE=0A
(--)1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)1
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)5V, IC=(--)100mA
100*
400*
hFE2VCE=(--)5V, IC=(--)10mA
80
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
120
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(22)14
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--200)130 (--500)450
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)180
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)160
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(40)40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.7)1.2
μs
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(40)80
ns
*: The 2SA1419 / 2SC3649 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
INPUT
100V
50Ω
RL
100μF
470μF
--5V
IC=10IB1=--10IB2=0.7A
(For PNP, the polarity is reversed)
+
VR
PW=20μs
D.C.≤1%
RB
IB1
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1419 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3649S 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1422 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1425-O 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1428 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3649T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3649T-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3650-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 25V 1.2A 800 to 3200 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 25V 1.2A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC3651-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 0.2A 500 to 2000 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 100V 0.2A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC3652 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY CHI TRANSISTOR TO-126 30V .3A 5W ECB
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