型號: | 2SC3649 |
廠商: | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
英文描述: | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉換應用的NPN硅外延平面型晶體管) |
中文描述: | 瑞展硅晶體管的高壓開關應用(用于高電壓轉換應用的npn型硅外延平面型晶體管) |
文件頁數: | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 143K |
代理商: | 2SC3649 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SA1433 | High-Definition CRT Display Applications |
2SA1435 | High-hFE,AF Amp Applications |
2SA1436 | High-hFE,AF Amp Applications |
2SK1733 | Very High-Speed Switching Applications |
2SA1437 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for High-hFE, AF Amplifier Applications(用于高電流增益,AF放大器應用的PNP硅外延平面型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
2SC3649S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3649S-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3649T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3649T-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3650-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 25V 1.2A 800 to 3200 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 25V 1.2A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |