參數(shù)資料
型號(hào): 2SC3648G-R-AB3-R
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商: 2SC3648G-R-AB3-R
2SC3648
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R208-038,C
TYPICAL CHARACTERISTICS
Collect
or
Current,
Ic
(mA)
Collector
Current,
Ic
(mA
)
Collector
C
u
rren
t,Ic
(mA)
DC
C
u
rren
tGain,
h
FE
Collector
-to-Emi
tter
Satura
tion
Voltage,
V
CE
(
sa
t)(V
)
Output
C
apacitance,
C
ob
(pF)
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC3648S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3648T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3649S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3649S-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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