參數(shù)資料
型號： 2SC3059
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
文件頁數(shù)： 11/19頁
文件大小： 489K
代理商： 2SC3059
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3060 5 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2SC3080C1/MN Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA881/PR 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2314TL3/UV 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC1613AC1/QS 50 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3060 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SC3061 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC3063 功能描述:TRANS NPN 300VCEO .1A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3064 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor
2SC3064E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | DIP
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