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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC2882-O |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 400 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-5K1A, PW-MINI, SC-62, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | 2SC2882-O |
2SC2882
2004-07-07
3
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
o
n
P
C
(W
)
0
0.8
0.2
0.4
0.6
20
40
60
80
100
120
140
160
1.2
1.0
(1)
(2)
(1) Mounted on a ceramic
substrate (250 mm
2 × 0.8 t)
(2) No heat sink
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
at
u
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(
sa
t)
(
V
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
10
6
4
2
0
100
200
300
400
2
IB = 0.5 mA
Common emitter
Ta
= 25°C
3
5
1
0
8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
Common emitter
VCE = 2 V
Ta
= 100°C
500
400
300
200
100
0
25
1000
300
100
50
30
10
500
3
10
30
100
300
1
Common emitter
VCE = 2 V
Ta
= 100°C
25
100
10
1
0.03
30
300
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
Ta
= 100°C
25
Common emitter
IC/IB = 10
25
500
1
10
50
2000
1000
300
100
30
3
5
0.5
3
1
10
100
30
300
DC operation Ta
= 25°C
IC max (pulse)*
IC max (continuous)
100 ms*
1 ms*
*: Single nonrepetitive pulse
Ta
= 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
Tested without a substrate.
VCEO max
10 ms*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2883-O | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2883-Y | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2884YTE12L | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2884YTE12R | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2884TE12L | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2884-Y(C,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 30V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2884-Y(TE12L,CF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 30V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2884Y(TE12L,CF) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN |
| 2SC2885-AZ-L | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC2898 | 制造商:n/a 功能描述:2SC2898 TO220 N9H1D 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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