參數(shù)資料
型號： 2SC2881-O
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-5K1A, PW-MINI, SC-62, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 140K
代理商： 2SC2881-O
2SC2881
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2881
Voltage Amplifier Applications
Power Amplifier Applications
High voltage: VCEO = 120 V
High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.)
Small flat package
PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate)
Complementary to 2SA1201
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
120
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
800
mA
Base current
IB
160
mA
PC
500
Collector power dissipation
PC
(Note 1)
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm
2 × 0.8 t)
Unit: mm
PW-MINI
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
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PDF描述
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