型號: | 2SC2808S/RE |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 50 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 105K |
代理商: | 2SC2808S/RE |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SA854T93/PR | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA1585S/PR | 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3377/PQ | 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC1809T93P | 20 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA825P | 50 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SC2812 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. SC-5955V .15A .2W ECB SURFACE MT 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SC2812N6-CPA-TB-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC2812N6-TB-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC2814 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. SC-5930V .03A .15W ECB SURFACE MT 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SC2814-4-TB-E | 功能描述:TRANS NPN 20V 30MA 3CP RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |