參數(shù)資料
型號： 2SC2776
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPAK-3
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 34K
代理商： 2SC2776
2SC2776
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
30
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
20
V
Emitter to base voltage
V
EBO
4V
Collector current
I
C
30
mA
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
30
—
V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
20
—
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
4—
—
V
I
E = 10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
0.5
AV
CB = 10 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE*
1
35
—
200
V
CE = 6 V, IC = 1 mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
0.8
1.2
V
I
C = 10 mA, IB = 1 mA
Collector output capacitance
Cob
—
1.1
—
pF
V
CB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
Gain bandwidth product
f
T
—
320
—
MHz
V
CE = 6 V, IC = 1 mA
Noise figure
NF
—
5.5
—
dB
V
CE = 6 V, IC = 1 mA,
f = 100 MHz, R
g = 50
Power gain
PG
—
17
—
dB
V
CE = 6 V, IC = 1 mA,
f = 100 MHz, R
g = 100 ,
R
L = 550 , Unneutralized
Note:
1. The 2SC2776 is grouped by h
FE as follows.
Grade
A
B
C
Mark
VA
VB
VC
h
FE
35 to 70
60 to 120
100 to 200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SC2776B RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2776B RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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