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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC2626 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING |
| 中文描述： | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | 2SC2626 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3724 | HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SC3725 | HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SC3728 | FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 2SC3743 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) |
| 2SC3757 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high speed switching) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2631 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC26310RA | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC2631QRSTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC26320R | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC2632R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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