參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2383Y
英文描述： SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 160V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92VAR
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SC2383Y
2SC458 (LG), 2SC2310
3
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
2SC458 (LG)
2SC2310
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
30
—
55
—
V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
30
—
50
—
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
5
—
—5
——
V
I
E = 10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
0.5
—
0.5
AV
CB =18 V, IE = 0
Emitter cutoff current
I
EBO
—
0.5
—
0.5
AV
EB = 2 V, IC = 0
DC current transfer ratio h
FE*
1
100
—
500
100
—
320
V
CE = 12 V, IC = 2 mA
Collector to emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
—
0.2
—
0.2
V
I
C = 10 mA, IB = 1 mA
Base to emitter voltage
V
BE
—
0.67
0.75
—
0.67
0.75
V
CE = 12 V, IC = 2 mA
Gain bandwidth product f
T
—
230
—
230
—
MHz
V
CE = 12 V, IC = 2 mA
Collector output
capacitance
Cob
—
1.8
3.5
—
1.8
3.5
pF
V
CB = 10 V, IE = 0,
f = 1 MHz
Noise figure
NF
—
3
5
—
3
5
dB
V
CE = 6 V, IC = 0.1 mA,
f = 120 Hz, R
g = 500
Small signal input
impedance
h
ie
—
16.5
—
16.5
—
k
V
CE = 5V, IC = 0.1mA,
f = 270 Hz
Small signal voltage
feedback ratio
h
re
—
70
——70
—
× 10–6
Small signal current
transfer ratio
h
fe
—
130
—
130
—
Small signal output
admittance
h
oe
—
11.0
—
11.0
—
S
Note:
1. The 2SC458 (LG) and 2SC2310 are grouped by h
FE as follows.
BC
D
2SC458 (LG) 100 to 200
160 to 320
250 to 500
2SC2310
100 to 200
160 to 320
—
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC2389 TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
2SC2389SE SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC2389SR TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAK
2SC2389SS SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
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參數(shù)描述
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2SC2383-Y(T6DNS,FM 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC2383-Y(TE6,F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 160V DC 1A High Freq Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC2383-Y,T6KEHF(M 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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